SPA16N50C3XKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	SPA16N50C3XKSA1
Teilstatus	Not For New Designs
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	560V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 675µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	66nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	34W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO220-3
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	SPA16N50C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP	Einzelheiten
	SPA16N50C3XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP	Einzelheiten