IRF5305PBF - Infineon Technologies

Artikelnummer	IRF5305PBF
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	31A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	110W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 16A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220AB
Paket / Fall	TO-220-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IRF500	EXSHINE	50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED	Einzelheiten
IRF500C10RJ	EXSHINE	50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED	Einzelheiten
IRF510	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB	Einzelheiten
IRF510L	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262	Einzelheiten
IRF510PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB	Einzelheiten
IRF510S	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK	Einzelheiten
IRF510SPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK	Einzelheiten
IRF510STRL	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK	Einzelheiten
IRF510STRLPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK	Einzelheiten
IRF510STRR	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK	Einzelheiten