IPL60R285P7AUMA1 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IPL60R285P7AUMA1 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
650V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
13A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
285 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 190µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
18nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
761pF @ 400V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
59W (Tc) |
Betriebstemperatur |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
PG-VSON-4 |
Paket / Fall |
4-PowerTSFN |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR IPL60R285P7AUMA1