IPD60R360P7SE8228AUMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	IPD60R360P7SE8228AUMA1
Teilstatus	Active
FET Typ	-
Technologie	-
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	-
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	-
Lieferantengerätepaket	-
Paket / Fall	-
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IPD60R360P7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3	Einzelheiten
IPD60R360P7SAUMA1	Infineon Technologies	CONSUMER	Einzelheiten
IPD60R360P7SE8228AUMA1	Infineon Technologies	CONSUMER	Einzelheiten