| Artikelnummer | IPB108N15N3 G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 150V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 83A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 8V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 160µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 75V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 214W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10.8 mOhm @ 83A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-2 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IPB100N04S204ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | Einzelheiten |
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