IPB100N04S303ATMA1 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IPB100N04S303ATMA1 |
Teilstatus |
Not For New Designs |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
40V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 150µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
145nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
9600pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
214W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
2.5 mOhm @ 80A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
PG-TO263-3-2 |
Paket / Fall |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR IPB100N04S303ATMA1