IPB09N03LA

IPB09N03LA - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPB09N03LA
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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3827 pcs
Referenzpreis
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IPB09N03LA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPB09N03LA
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1642pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 63W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8.9 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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