IPB09N03LA detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IPB09N03LA |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
25V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 20µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
13nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1642pF @ 15V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
63W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
8.9 mOhm @ 30A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
PG-TO263-3-2 |
Paket / Fall |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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