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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FS75R12KS4BOSA1
FS75R12KS4BOSA1

FS75R12KS4BOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FS75R12KS4BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOD IGBT LOW PWR ECONO3-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FS75R12KS4BOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
902 pcs
Referenzpreis
USD 182.258/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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FS75R12KS4BOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FS75R12KS4BOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Leistung max 500W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 75A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.1nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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