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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FS75R07W2E3B11ABOMA1
FS75R07W2E3B11ABOMA1

FS75R07W2E3B11ABOMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FS75R07W2E3B11ABOMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULES
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FS75R07W2E3B11ABOMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
FS75R07W2E3B11ABOMA1.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
448 pcs
Referenzpreis
USD 59.6727/pcs
Unser Preis
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FS75R07W2E3B11ABOMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FS75R07W2E3B11ABOMA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) -
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Leistung max -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic -
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang -
NTC-Thermistor -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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