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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FS50R17KE3B17BOSA1
FS50R17KE3B17BOSA1

FS50R17KE3B17BOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FS50R17KE3B17BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FS50R17KE3B17BOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1480 pcs
Referenzpreis
USD 111.233/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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FS50R17KE3B17BOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FS50R17KE3B17BOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 82A
Leistung max 345W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.5nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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