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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FS50R12KE3BOSA1
FS50R12KE3BOSA1

FS50R12KE3BOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FS50R12KE3BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 50A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FS50R12KE3BOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1977 pcs
Referenzpreis
USD 83.2/pcs
Unser Preis
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FS50R12KE3BOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FS50R12KE3BOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 75A
Leistung max 270W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.5nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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