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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FF600R17KE3B2NOSA1
FF600R17KE3B2NOSA1

FF600R17KE3B2NOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FF600R17KE3B2NOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 600V 600A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FF600R17KE3B2NOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
167 pcs
Referenzpreis
USD 979.49/pcs
Unser Preis
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FF600R17KE3B2NOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FF600R17KE3B2NOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau 2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Leistung max 4300W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 600A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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