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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FF600R06ME3BOSA1
FF600R06ME3BOSA1

FF600R06ME3BOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FF600R06ME3BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 600V 600A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FF600R06ME3BOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1057 pcs
Referenzpreis
USD 155.578/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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FF600R06ME3BOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FF600R06ME3BOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau 2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 700A
Leistung max 1650W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 600A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 39nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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