FF200R17KE3HOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	FF200R17KE3HOSA1
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	Trench Field Stop
Aufbau	Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	310A
Leistung max	1250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	3mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce	18nF @ 25V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	No
Betriebstemperatur	-40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	Module
Lieferantengerätepaket	Module
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FF200R06KE3HOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 600V 200A	Einzelheiten
FF200R12KE3	INFINEON	FF200R12KE3 INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
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FF200R12KE3HOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 200A	Einzelheiten
FF200R12KE4HOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 1200V 200A	Einzelheiten
FF200R12KE4PHOSA1	Infineon Technologies	MOD IGBT MED PWR 62MM-1	Einzelheiten
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FF200R12KS4PHOSA1	Infineon Technologies	MOD IGBT MED PWR 62MM-1	Einzelheiten
FF200R12KT3	INFINEON	FF200R12KT3 INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten