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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FF200R12MT4BOMA1
FF200R12MT4BOMA1

FF200R12MT4BOMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FF200R12MT4BOMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FF200R12MT4BOMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
480 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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FF200R12MT4BOMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FF200R12MT4BOMA1
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau 2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Leistung max 1050W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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