BSZ130N03MSGATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	BSZ130N03MSGATMA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	11.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 15V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.1W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TSDSON-8
Paket / Fall	8-PowerTDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BSZ130N03LS G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8	Einzelheiten
BSZ130N03LSG	INFINEON	BSZ130N03LSG INFINEON QFN New Original Stocks	Einzelheiten
BSZ130N03LSGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8	Einzelheiten
BSZ130N03MS G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8	Einzelheiten
BSZ130N03MSG	INFINEON	BSZ130N03MSG INFINEON TSSON-.. New Original Stocks	Einzelheiten
BSZ130N03MSGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8	Einzelheiten