BSZ130N03MS G

BSZ130N03MS G - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSZ130N03MS G
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
109828 pcs
Referenzpreis
USD 0.2424/pcs
Unser Preis
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BSZ130N03MS G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSZ130N03MS G
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TSDSON-8
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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