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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › BSM150GB170DN2HOSA1
BSM150GB170DN2HOSA1

BSM150GB170DN2HOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSM150GB170DN2HOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MODULE IGBT 1700V
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BSM150GB170DN2HOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BSM150GB170DN2HOSA1.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3665 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern BSM150GB170DN2HOSA1

BSM150GB170DN2HOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSM150GB170DN2HOSA1
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 220A
Leistung max 1250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 150A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1.5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 20nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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