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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › BSM150GB120DLCHOSA1
BSM150GB120DLCHOSA1

BSM150GB120DLCHOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSM150GB120DLCHOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 2 MED POWER 62MM-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BSM150GB120DLCHOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1102 pcs
Referenzpreis
USD 149.306/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern BSM150GB120DLCHOSA1

BSM150GB120DLCHOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSM150GB120DLCHOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 300A
Leistung max 1250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 150A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 11nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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