BSM100GD60DLCBOSA1

BSM100GD60DLCBOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSM100GD60DLCBOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
957 pcs
Referenzpreis
USD 171.908/pcs
Unser Preis
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BSM100GD60DLCBOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSM100GD60DLCBOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 130A
Leistung max 430W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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