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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › BSM100GB120DLCKHOSA1
BSM100GB120DLCKHOSA1

BSM100GB120DLCKHOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSM100GB120DLCKHOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BSM100GB120DLCKHOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1722 pcs
Referenzpreis
USD 95.536/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern BSM100GB120DLCKHOSA1

BSM100GB120DLCKHOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSM100GB120DLCKHOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Leistung max 830W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic -
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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