BFR93AE6327HTSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	BFR93AE6327HTSA1
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	12V
Frequenz - Übergang	6GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinnen	9.5dB ~ 14.5dB
Leistung max	300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 30mA, 8V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	90mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BFR93A	PHI	BFR93A PHI SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten
BFR93A,215	NXP USA Inc.	TRANS NPN 35MA 12V 6GHZ SOT23	Einzelheiten
BFR93A,235	NXP USA Inc.	TRANS NPN 12V 35MA 6GHZ SOT23	Einzelheiten
BFR93A-T1	EXSHINE	The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor	Einzelheiten
BFR93A-T3	EXSHINE	The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor	Einzelheiten
BFR93AE6327HTSA1	Infineon Technologies	RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3	Einzelheiten
BFR93AF	VISHAY	Silicon NPN Planar RF Transistor	Einzelheiten
BFR93AR	VISHAY	Silicon NPN Planar RF Transistor	Einzelheiten
BFR93AR,215	NXP USA Inc.	TRANS NPN 35MA 12V 6GHZ SOT23	Einzelheiten
BFR93AR-T1	EXSHINE	The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor	Einzelheiten