| Artikelnummer | S1621-46R |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Art | Non-Insulated |
| Geschlecht | Non-Gendered |
| Anzahl der Positionen oder Pins (Raster) | 2 (1 x 2) |
| Tonhöhe | 0.319" (8.10mm) |
| Höhe | 0.071" (1.80mm) |
| Kontakt Fertig stellen | Tin |
| Kontakt Finish Dicke | 118.1µin (3.00µm) |
| Farbe | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
S16-4148/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Einzelheiten |
|
S16-4148/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Einzelheiten |
|
S16-4148E3/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Einzelheiten |
|
S16-4148E3/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Einzelheiten |
|
S16-4150/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 50V 400MA 16SOIC | Einzelheiten |
|
S16-4150/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 50V 400MA 16SOIC | Einzelheiten |
|
S16-4150E3/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Einzelheiten |
|
S16-4150E3/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 50V 400MA 16SOIC | Einzelheiten |
 |
S16008LK9 | EXSHINE | SYVCHRONOUS DRAM | Einzelheiten |
|
S16008LK9LK7FB-75A | EXSHINE | SYVCHRONOUS DRAM | Einzelheiten |
