S16-4150E3/TR7 - Microsemi Corporation

Artikelnummer	S16-4150E3/TR7
Teilstatus	Active
Diodenkonfiguration	8 Independent
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	50V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	400mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1V @ 200mA
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	100nA @ 50V
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket	16-SOIC
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
S16-4148/TR13	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC	Einzelheiten
S16-4148/TR7	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC	Einzelheiten
S16-4148E3/TR13	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC	Einzelheiten
S16-4148E3/TR7	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC	Einzelheiten
S16-4150/TR13	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 50V 400MA 16SOIC	Einzelheiten
S16-4150/TR7	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 50V 400MA 16SOIC	Einzelheiten
S16-4150E3/TR13	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC	Einzelheiten
S16-4150E3/TR7	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 50V 400MA 16SOIC	Einzelheiten