| Artikelnummer | MSRT20080(A)D |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Series Connection |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Lieferantengerätepaket | Three Tower |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MSRT200100(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER | Einzelheiten |
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MSRT200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | Einzelheiten |
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MSRT200120(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER | Einzelheiten |
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MSRT200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | Einzelheiten |
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MSRT200140(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER | Einzelheiten |
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MSRT200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER | Einzelheiten |
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MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER | Einzelheiten |
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MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | Einzelheiten |
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MSRT20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | Einzelheiten |
