Artikelnummer | 2N7636-GA |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | - |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) (165°C) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 324pF @ 35V |
Vgs (Max) | - |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 125W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 415 mOhm @ 4A |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-276 |
Paket / Fall | TO-276AA |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |