| Artikelnummer | 1N8034-GA |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 9.4A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.34V @ 10A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 0ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 650V |
| Kapazität @ Vr, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-257-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-257 |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 250°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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1N8024-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 | Einzelheiten |
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1N81 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Einzelheiten |
