1N8030-GA

1N8030-GA - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer
1N8030-GA
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
1N8030-GA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
1N8030-GA.pdf
Kategorie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
22 pcs
Referenzpreis
USD 180.13/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern 1N8030-GA

1N8030-GA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 1N8030-GA
Teilstatus Active
Dioden-Typ Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 750mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.39V @ 750mA
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 5µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F 76pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-257-3
Lieferantengerätepaket TO-257
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 250°C
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR 1N8030-GA