HUF76609D3S

HUF76609D3S - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
HUF76609D3S
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3557 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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HUF76609D3S detaillierte Beschreibung

Artikelnummer HUF76609D3S
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 425pF @ 25V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 49W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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