Artikelnummer | HUF75307T3ST |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1.1W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.6A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-223-4 |
Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |