ZXMP6A17N8TC

ZXMP6A17N8TC - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXMP6A17N8TC
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
6250 pcs
Referenzpreis
USD 0.3669/pcs
Unser Preis
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ZXMP6A17N8TC detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXMP6A17N8TC
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 637pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.56W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 2.3A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht -
Ursprungsland -

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