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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › ZXMP10A13FQTA
ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXMP10A13FQTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
ZXMP10A13FQTA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
80295 pcs
Referenzpreis
USD 0.3168/pcs
Unser Preis
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ZXMP10A13FQTA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXMP10A13FQTA
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 141pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 625mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 600mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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