| Artikelnummer | ZXMP4A16GQTC |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP10A13FQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 | Einzelheiten |
|
ZXMP10A13FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 | Einzelheiten |
 |
ZXMP10A16KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3A DPAK | Einzelheiten |
 |
ZXMP10A17E6 | DIODES | ZXMP10A17E6 DIODES TSOP-6 New Original Stocks | Einzelheiten |
 |
ZXMP10A17E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 | Einzelheiten |
|
ZXMP10A17E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 | Einzelheiten |
 |
ZXMP10A17GQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V SOT223 | Einzelheiten |
|
ZXMP10A17GQTC | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223 | Einzelheiten |
|
ZXMP10A17GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223 | Einzelheiten |
|
ZXMP10A17KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK | Einzelheiten |
