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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › ZXMP3F30FHTA
ZXMP3F30FHTA

ZXMP3F30FHTA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXMP3F30FHTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
ZXMP3F30FHTA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
195000 pcs
Referenzpreis
USD 0.1604/pcs
Unser Preis
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ZXMP3F30FHTA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXMP3F30FHTA
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 950mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 2.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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