| Artikelnummer | ZXMP10A18KTC |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 26.9nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1055pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.17W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP10A13FQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 | Einzelheiten |
|
ZXMP10A13FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 | Einzelheiten |
|
ZXMP10A16KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3A DPAK | Einzelheiten |
 |
ZXMP10A17E6 | DIODES | ZXMP10A17E6 DIODES TSOP-6 New Original Stocks | Einzelheiten |
 |
ZXMP10A17E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 | Einzelheiten |
|
ZXMP10A17E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 | Einzelheiten |
 |
ZXMP10A17GQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V SOT223 | Einzelheiten |
 |
ZXMP10A17GQTC | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223 | Einzelheiten |
|
ZXMP10A17GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223 | Einzelheiten |
|
ZXMP10A17KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK | Einzelheiten |
