ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXMN6A10N8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4190 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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ZXMN6A10N8TA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXMN6A10N8TA
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C -
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht -
Ursprungsland -

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