ZXMN10A25K

ZXMN10A25K - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXMN10A25K
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3859 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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ZXMN10A25K detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXMN10A25K
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17.16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 859pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.11W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 2.9A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252-3
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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