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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › MMBTA56Q-7-F
MMBTA56Q-7-F

MMBTA56Q-7-F - Diodes Incorporated

Artikelnummer
MMBTA56Q-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MMBTA56Q-7-F PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
45000 pcs
Referenzpreis
USD 0.0582/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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MMBTA56Q-7-F detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MMBTA56Q-7-F
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 80V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Leistung max 350mW
Frequenz - Übergang 50MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SOT-23
Gewicht -
Ursprungsland -

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