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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › MMBT6427-7-F
MMBT6427-7-F

MMBT6427-7-F - Diodes Incorporated

Artikelnummer
MMBT6427-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MMBT6427-7-F PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
30000 pcs
Referenzpreis
USD 0.0455/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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MMBT6427-7-F detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MMBT6427-7-F
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 40V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500µA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20000 @ 100mA, 5V
Leistung max 300mW
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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