| Artikelnummer | DMT6016LFDF-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.9A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 864pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 820mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 10A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-UDFN (2x2) |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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DMT6002LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 | Einzelheiten |
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DMT6004LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 22A | Einzelheiten |
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DMT6004SCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 | Einzelheiten |
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DMT6004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 | Einzelheiten |
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DMT6005LCT | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 100A TO220AB | Einzelheiten |
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DMT6005LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333 | Einzelheiten |
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DMT6005LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333 | Einzelheiten |
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DMT6005LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI | Einzelheiten |
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DMT6005LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8 | Einzelheiten |
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DMT6007LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 | Einzelheiten |
