DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMT6015LPS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
69902 pcs
Referenzpreis
USD 0.3835/pcs
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DMT6015LPS-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMT6015LPS-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10.6A (Ta), 31A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1103pF @ 30V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.16W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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