DMP2170U-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMP2170U-7
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	3.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	303pF @ 10V
Vgs (Max)	±12V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	780mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMP2002UPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8	Einzelheiten
DMP2003UPS-13	Diodes Incorporated	MOSFETP-CHAN 20V POWERDI5060-8	Einzelheiten
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