DMP2100U-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMP2100U-7
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	9.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	216pF @ 15V
Vgs (Max)	±10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	800mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 3.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMP2002UPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8	Einzelheiten
DMP2003UPS-13	Diodes Incorporated	MOSFETP-CHAN 20V POWERDI5060-8	Einzelheiten
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DMP2004DWK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363	Einzelheiten
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