DMP2007UFG-7

DMP2007UFG-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMP2007UFG-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
305000 pcs
Referenzpreis
USD 0.3502/pcs
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DMP2007UFG-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMP2007UFG-7
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4621pF @ 10V
Vgs (Max) ±12V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.3W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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