DMP2004WK-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMP2004WK-7
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	400mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	175pF @ 16V
Vgs (Max)	±8V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	250mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 430mA, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-323
Paket / Fall	SC-70, SOT-323
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMP2002UPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8	Einzelheiten
DMP2003UPS-13	Diodes Incorporated	MOSFETP-CHAN 20V POWERDI5060-8	Einzelheiten
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