| Artikelnummer | DMNH6011LK3Q-13 |
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| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 49.1nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3077pF @ 30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.6W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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DMNH6008SCT | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 130A TO220AB | Einzelheiten |
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DMNH6008SCTQ | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 130A TO220AB | Einzelheiten |
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DMNH6008SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI | Einzelheiten |
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DMNH6008SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI | Einzelheiten |
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DMNH6011LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR | Einzelheiten |
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DMNH6011LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR | Einzelheiten |
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DMNH6012LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 60A TO252 | Einzelheiten |
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DMNH6012LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 80A TO252 | Einzelheiten |
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DMNH6012SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI | Einzelheiten |
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DMNH6012SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 50A POWERDI | Einzelheiten |
