DMNH6011LK3-13

DMNH6011LK3-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMNH6011LK3-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
243067 pcs
Referenzpreis
USD 0.67738/pcs
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DMNH6011LK3-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMNH6011LK3-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 49.1nC @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3077pF @ 30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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