DMNH6011LK3-13 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
DMNH6011LK3-13 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
55V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
80A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
12 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
49.1nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
3077pF @ 30V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
1.6W (Ta) |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
TO-252, (D-Pak) |
Paket / Fall |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR DMNH6011LK3-13