DMG6968U-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMG6968U-7
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	6.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	151pF @ 10V
Vgs (Max)	±12V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.3W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23-3
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMG6301UDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363	Einzelheiten
DMG6301UDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363	Einzelheiten
DMG6402LDM-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26	Einzelheiten
DMG6402LVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26	Einzelheiten
DMG6601LVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT	Einzelheiten
DMG6602SVT	ZETEXDIODES	DMG6602SVT ZETEX/DIODES SOT-23.. New Original Stocks	Einzelheiten
DMG6602SVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6	Einzelheiten
DMG6602SVTQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V TSOT26	Einzelheiten
DMG6602SVTX-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR	Einzelheiten
DMG6898LSD	DIODES	DMG6898LSD DIODES SO-8 New Original Stocks	Einzelheiten