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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › DMG2305UX-13
DMG2305UX-13

DMG2305UX-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMG2305UX-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DMG2305UX-13 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
250000 pcs
Referenzpreis
USD 0.0526/pcs
Unser Preis
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DMG2305UX-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMG2305UX-13
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 808pF @ 15V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.4W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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