DMG2301LK-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMG2301LK-13
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	2.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	3.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	156pF @ 6V
Vgs (Max)	±12V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	840mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 1A, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMG201020R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN PNP 50V MINI5-G3-B	Einzelheiten
DMG204010R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6	Einzelheiten
DMG204020R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI6	Einzelheiten
DMG204A00R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN/PNP 20V/10V 0.5A MINI6	Einzelheiten
DMG204B00R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN/PNP 50V/10V MINI6	Einzelheiten
DMG204B10R	Panasonic Electronic Components	TRANS NPN/PNP 20V/50V MINI6	Einzelheiten
DMG214010R	Panasonic Electronic Components	TRANS PNP PREBIAS/NPN 0.3W MINI6	Einzelheiten
DMG2301L-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 3A SOT23	Einzelheiten
DMG2301L-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 3A SOT23	Einzelheiten
DMG2301LK-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 20V 2.4A SOT23	Einzelheiten